技術(shù)參數(shù)：
1、可生產(chǎn)厚度、摻雜與成分可控的外延層
2、本底真空度優(yōu)于5×10-8 Pa
3、5軸manipulator，可將基片加熱至最高2000℃或冷凍至液氦溫度
4、Load Lock腔配備300L/s的磁懸浮分子泵，可快速抽空
5、可選配反射高能電子衍射儀(RHEED)，實(shí)現(xiàn)成膜過程的原 位監(jiān)測(cè)，實(shí)時(shí)分析
6、兼容2至4 in標(biāo)準(zhǔn)晶圓(Wafer)
7、標(biāo)準(zhǔn)束源爐坩堝材料: PBN
